Tiến trình mới nhất của TSMC có mật độ bóng bán dẫn đạt 250 triệu/mm². Đây sẽ là một kỷ lục mới về mật độ bóng bán dẫn trên một đơn vị diện tích. 

Để tham khảo,ếtlộchíptiếntrìnhmớinhấtgiảmtiêuthụnănglượtin nhanh 24 ta có thể lấy con chíp Kirin 990 5G với tiến trình 7nm sử dụng các thiết bị khắc bằng tia siêu cực tím (EUV: Extreme Ultraviolet) của TSMC cho thấy nó có kích thước 113,31mm², mật độ bóng bán dẫn 10,3 tỷ, trung bình 90 triệu bóng bán dẫn/mm². Như vậy, mật độ bóng bán dẫn với tiến trình 3nm gấp hơn 2,7 lần so với tiến trình 7nm. 

Về mặt cải thiện hiệu suất, hiệu suất của tiến trình 5nm của TSMC cao hơn 10% - 15% so với tiến trình 7nm và mức tiêu thụ năng lượng giảm 25% - 30%. Tuy nhiên, hiệu suất của tiến trình 3nm cao hơn 5% so với tiến trình 5nm và mức tiêu thụ năng lượng tăng lên 15%.